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      南昌高新微电子科技园项目

      南昌高新投资集团有限公司  2018-05-29 


      项目概况:项目位于南昌高新区天祥大道以南、学苑六路以西。项目总建筑面积约7.5万平方米,占地面积76亩,总投资约10亿元。其中项目一期建设面积约4.28万平方米,占地面积58亩,投资建设标准厂房及配套设施等。

      项目定位:将在南昌高新区建设具有完整知识产权(IP)的FBAR射频滤波芯片生产项目,致力于将南昌高新区打造成为中国的微机电系(MEMS)研发及产业制造中心。

      开竣工时间:2017年4月-2018年12月

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